鋁基板樹脂塞孔深圳廠家
鋁基板樹脂塞孔是因為制程BGA零件，因為傳統(tǒng)的BGA（焊球陣列封裝）可能會在PAD與PAD間做VIA到背面去走線，但是若BGA即焊球陣列封裝過密導致VIA走不出去時，就可以直接從PAD鉆孔做via到別層去走線，再將孔用樹脂填平鍍銅變成PAD，也就是俗稱的VIP制程(via in pad)，若只是在PAD上做via而沒有用樹脂塞孔，就容易造成漏錫導致背面短路以及正面的空焊。
鋁基板樹脂塞孔的制程包括鉆孔、電鍍、塞孔、烘烤、研磨，鉆孔后將孔鍍通，接著再塞樹脂烘烤，最后就是研磨將之磨平，磨平后的樹脂因為不含銅，所以還要再度一層銅上去將它變成PAD，這些制程都是在原本鋁基板鉆孔制程前做的，也就是先將要塞孔的孔處理好，然后再鉆其他孔，照原本正常的制程走。
塞孔若沒有塞好，孔內有氣泡時，因為氣泡容易吸濕，板子再過錫爐時就可能會爆板，不過塞孔的過程中若孔內有氣泡，烘烤時氣泡就會將樹脂擠出，造成一邊凹陷一邊突出的情況，此時可以將不良品檢出，而有氣泡的板子也不見得會爆板，因為爆板的主因是濕氣，所以若是剛出廠的板子或板子在上件時有經過烘烤，一般而言也不會造成爆板。
鋁基板樹脂塞孔深圳廠家外層無樹脂塞孔流程：
1、外層制作滿足負片要求，且通孔厚徑比≤6:1。
負片要求需要滿足的條件為：線寬/線隙足夠大、最大PTH孔小于干膜最大封孔能力、板厚小于負片要求的最大板厚等。并且沒有特殊要求的板，特殊流程的板包括：局部電金板、電鍍鎳金板、半孔板、印制插頭板、無環(huán)PTH孔、有PTH槽孔的板等。
內層的制作→壓合→棕化→激光鉆孔→退棕化→外層鉆孔→沉銅→整板填孔電鍍→切片分析→外層圖形→外層酸性蝕刻→外層AOI→后續(xù)正常流程。
2、外層制作滿足負片要求，通孔厚徑比＞6:1。
由于通孔厚徑比＞6:1，使用整板填孔電鍍無滿足通孔孔銅厚度的要求，整板填孔電鍍后，需要使用普通的電鍍線在進行一次板電將通孔孔銅鍍到要求的厚度，具體的流程如下：
內層的制作→壓合→棕化→激光鉆孔→退棕化→外層鉆孔→沉銅→整板填孔電鍍→全板電鍍→切片分析→外層圖形→外層酸性蝕刻→后續(xù)正常流程。
3、外層不滿足負片要求，線寬/線隙≥a，且外層通孔厚徑比≤6:1。
內層的制作→壓合→棕化→激光鉆孔→退棕化→外層鉆孔→沉銅→整板填孔電鍍→切片分析→外層圖形→圖形電鍍→外層堿性蝕刻→外層AOI→后續(xù)正常流程。
4、外層不滿足負片要求，線寬/線隙＜a；或線寬/線隙≥a，通孔厚徑比＞6:1。
內層的制作→壓合→棕化→激光鉆孔→退棕化→沉銅→整板填孔電鍍→切片分析→減銅→外層鉆孔→沉銅（2）→全板電鍍→外層圖形→圖形電鍍→外層堿性蝕刻→外層AOI→后續(xù)正常流程。
鋁基板樹脂塞孔的制程包括鉆孔、電鍍、塞孔、烘烤、研磨，鉆孔后將孔鍍通，接著再塞樹脂烘烤，最后就是研磨將之磨平，磨平后的樹脂因為不含銅，所以還要再度一層銅上去將它變成PAD，這些制程都是在原本鋁基板鉆孔制程前做的，也就是先將要塞孔的孔處理好，然后再鉆其他孔，照原本正常的制程走。
塞孔若沒有塞好，孔內有氣泡時，因為氣泡容易吸濕，板子再過錫爐時就可能會爆板，不過塞孔的過程中若孔內有氣泡，烘烤時氣泡就會將樹脂擠出，造成一邊凹陷一邊突出的情況，此時可以將不良品檢出，而有氣泡的板子也不見得會爆板，因為爆板的主因是濕氣，所以若是剛出廠的板子或板子在上件時有經過烘烤，一般而言也不會造成爆板。
1、外層制作滿足負片要求，且通孔厚徑比≤6:1。
負片要求需要滿足的條件為：線寬/線隙足夠大、最大PTH孔小于干膜最大封孔能力、板厚小于負片要求的最大板厚等。并且沒有特殊要求的板，特殊流程的板包括：局部電金板、電鍍鎳金板、半孔板、印制插頭板、無環(huán)PTH孔、有PTH槽孔的板等。
內層的制作→壓合→棕化→激光鉆孔→退棕化→外層鉆孔→沉銅→整板填孔電鍍→切片分析→外層圖形→外層酸性蝕刻→外層AOI→后續(xù)正常流程。
2、外層制作滿足負片要求，通孔厚徑比＞6:1。
由于通孔厚徑比＞6:1，使用整板填孔電鍍無滿足通孔孔銅厚度的要求，整板填孔電鍍后，需要使用普通的電鍍線在進行一次板電將通孔孔銅鍍到要求的厚度，具體的流程如下：
內層的制作→壓合→棕化→激光鉆孔→退棕化→外層鉆孔→沉銅→整板填孔電鍍→全板電鍍→切片分析→外層圖形→外層酸性蝕刻→后續(xù)正常流程。
3、外層不滿足負片要求，線寬/線隙≥a，且外層通孔厚徑比≤6:1。
內層的制作→壓合→棕化→激光鉆孔→退棕化→外層鉆孔→沉銅→整板填孔電鍍→切片分析→外層圖形→圖形電鍍→外層堿性蝕刻→外層AOI→后續(xù)正常流程。
4、外層不滿足負片要求，線寬/線隙＜a；或線寬/線隙≥a，通孔厚徑比＞6:1。
內層的制作→壓合→棕化→激光鉆孔→退棕化→沉銅→整板填孔電鍍→切片分析→減銅→外層鉆孔→沉銅（2）→全板電鍍→外層圖形→圖形電鍍→外層堿性蝕刻→外層AOI→后續(xù)正常流程。
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